Polarization Characteristics of Electroluminiscence, that Accompanies Electric Breakdown of p–n-Structures on Silicon Carbide

Олексій Михайлович Генкін, Віра Костянтинівна Генкіна, Людмила Павлівна Гермаш

Abstract


Spectral dependence of the linear polarization extent of electroluminicsence, which accompanies the electric breakdown of alloyed pn-structures, made on the base of SiC–4Н, 6Н, 15R polytypes, and аlso cubic silicon carbide in the range of 1,4–3,8 еВ have been obtained for the first time. The structures have been placed on the crystal faces, which are parallel and perpendicular to the crystallographic axis С. The luminescence was lead out from the side of thin р-region perpendicularly, and also at the sharp angle to the operating crystal face. The components of luminescence which are polarized linearly in the parallel and perpendicular to the crystallographic axis С (Е||С, Е^С) plane, and also parallel to the vector F of electric field tensity in the pn-junction (Е||F) have been revealed. Spectral location and intensity of the component, connected with direction of the axis С, have essential differences in different polytypes. Common feature for all polytypes is the presence of polarization (with the level of 0,3–0,4) in the plane Е||С in the region of fundamental absorption and in the adjoining region. Accordance of polarization characteristic of luminicsence to the date on optical absorption takes place only in the separate cases. Polarization Е||F reaches the level 0,5 and tends to increase in the side of increasing of photon energy.

Keywords


Silicon carbide; Electric breakdown; Breakdown electroluminescence; Linear polarisation

References


Санкин В.И. Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния. Обзор // Физика и техника полупроводников. – 2002. – 36, № 7. – С. 769–793.

Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарков­с­кой ло­кализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния / В.И.Санкин, А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, А.Г. Петров // Письма в ЖЭТФ. – 2011. – 94, № 5. – С. 393–396.

Генкин А.М., Генкина В.К., Гермаш Л.П. Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме элек­трического пробоя // Журн. техн. физики. – 1999. – 69, № 10. – С. 69–76.

Еле­менти та системи поляризаційних приладів для космічних досліджень / М.Д. Гераїмчук, О.М. Генкін, О.В. Івахів та ін. – К.: ЕКМО, 2009. – 188 с.

Алтайский Ю.М., Генкин А.М. О спектрах предпробойной электролюминесценции в карбиде кремния политипа 6Н // Физика и техника полупроводников. – 1980. – 14, № 7. – С. 1397–1399.

Алтайский Ю.М., Генкин А.М. О предпробойном излучении в SiC–15R // Техника средств связи. Сер. Общетехн. – 1982. – № 5. – С. 37–40.

Анизотропия поляризационных характеристик предпробойного свечения диодных структур на основе карбида кремния / В.В. Гуц, Л.А. Косяченко, И.В. Мали­мон, И.В. Солончук // Укр. физ. журн. – 1986. – 31, № 1. – С. 90–93.

Гуц В.В., Малимон И.В., Солончук И.В. Поляризация предпробойного излучения диодных структур на карбиде кремния // Журн. прикл. спектроскопии. – 1987. – 46, № 1. – С. 153–156.

Шеклифф У. Поляризованный свет. – М.: Мир, 1965. – 264 с.

Волкова Е.А. Поляризационные измерения. – М.: Из-во стандартов, 1974. – 146 с.

G.V. Dubrovskii et al., “Optical absorption assoclated with superlattice in silicon carbide crystals”, Phys. Status Solidi B, vol. 57, no. 1, pp. 423–431, 1973.


GOST Style Citations






DOI: https://doi.org/10.20535/1810-0546.2014.1.26535

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c) 2017 NTUU KPI